Semiconduttori - Samsung e Broadcom firmano un protocollo d'intesa

Fatto

Samsung Electronics e Broadcom annunciano la firma di un protocollo d'intesa (MOU) per ampliare la loro collaborazione strategica nelle tecnologie di memoria e fonderia, a supporto della prossima generazione di infrastrutture per l'intelligenza artificiale.

Si stima che la collaborazione raggiungerà un valore superiore a 200 miliardi di dollari nei prossimi cinque anni, fino al 2030, tra memorie e fonderie.
• Sul fronte delle memorie, Samsung e Broadcom intendono perseguire una collaborazione strategica per la fornitura di soluzioni di memoria leader del settore, tra cui memorie ad alta larghezza di banda (HBM), a supporto degli acceleratori AI di prossima generazione di Broadcom.

• Nel settore delle fonderie, la collaborazione tra le due aziende si concentra sulle tecnologie di processo a 2 nanometri e inferiori di Samsung per i prodotti Broadcom, comprese le soluzioni di comunicazione wireless a banda larga. Si prevede che la collaborazione si estenderà alle tecnologie di packaging avanzate basate sul processo a 2 nm di Samsung, inclusa l'integrazione 2.3D e 2.5D, per consentire la realizzazione di chip per intelligenza artificiale e reti con prestazioni superiori e maggiore efficienza energetica.

Effetto

Il protocollo d'intesa da oltre 200 miliardi di dollari rafforza la partnership già esistente tra le due società, che collaborano già nella fornitura di memorie e nella produzione di semiconduttori, confermando al contempo che la domanda derivante dall'intelligenza artificiale rimane strutturalmente forte.