STMICROELECTRONICS - Ue stanzia 2 miliardi per un impianto a Catania
Notizia positiva ma scontata, almeno in parte, dal mercato
Fatto
Questa mattina la Commissione Europea ha approvato un pacchetto di aiuti di Stato previsti dal governo italiano per la costruzione di un impianto integrato per dispositivi in Carburo di Silicio (Silicon Carbide, SiC) a Catania.
Il contributo sarà a fondo perduto e avrà un valore di circa 2bn rispetto ad un investimento totale di €5bn (standard l’impegno di condividere con il governo italiano eventuali profitti oltre le attese).
Il progetto consentirà lo sviluppo di un impianto di produzione su larga scala per chip SiC ad alte prestazioni, basato su wafer da 200 mm di diametro che saranno trasformati in moduli e altri dispositivi utilizzati ad esempio dall'industria automobilistica.
Si prevede che l'impianto funzionerà a piena capacità nel 2032.
Il SiC è una delle tecnologie a più alta potenzialità e crescita a disposizione di STM con un target di vendite superiore a $5bn nel 2030 (~$0bn nel 2017, ~$1.3bn attesi nel 2024).
Ricordiamo che il SiC è un materiale innovativo in grado di aumentare le prestazioni e l’efficienza energetica delle applicazioni sulle quali viene installato.
Effetto
Le notizie sulla richiesta di una sovvenzione per la costruzione di un impianto per il SiC a Catania da €5bn erano state riportate da L’Ousine Nuovell…
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