STM - Aprirà una joint venture per la produzione di SiC 200mm in Cina con Sanan
La creazione di una fabbrica per il SiC in Cina è una notizia positiva in quanto rafforza l’impronta industriale di STM in Cina
Fatto
STM e Sanan Optoelectronics hanno siglato un accordo per la costituzione di una joint venture per la creazione di una nuova fabbrica da 200mm per la produzione di dispositivi al carburo di silicio (Silicon Carbide, SiC) in Cina nella città di Chongqing.
La partenza della produzione è prevista per il 4Q 2025 e il completamento è previsto per il 2028.
Parallelamente, Sanan Optoelectronics costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati SiC da 200mm per soddisfare le esigenze della JV, utilizzando il proprio processo di substrato SiC.
La joint venture produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STM, utilizzando la tecnologia di processo di produzione SiC proprietaria di STM, e fungerà da fonderia dedicata per STM per supportare la domanda dei suoi clienti cinesi.
L'importo totale per la costruzione completa della JV dovrebbe essere di circa 3.2 mld usd (3.0 mld eu), comprese le spese in conto capitale di circa 2.4 mld usd (2.24 mld eu) nei prossimi 5 anni, che saranno finanziate dai contributi di STM e Sanan Optoelectronics, sostegno del governo locale e prestiti alla JV.
Grazie alla JV, STM si aspetta di raggiungere un fatturato per il SiC superiore ai 5 mld usd (4.7 mld eu) entro il 2030 (precedentemente era di 5 mld).
Effetto
La creazione di una fabbrica per il SiC in Cina è una notizia positiva in quanto rafforza l’impronta industriale di STM in Cina dove è attesa una fort…
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